Chapter 3.8

[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA]

DAFTAR ISI

1. Tujuan

2. Alat dan Bahan

3. Dasar Teori

4. Posedur Percobaan

5. Rangkaian Simulasi

6. Link Download 

RANGKAIAN TRANSISTOR

1. TUJUAN[kembali]

1. Mempelajari batasan operasi pada transistor

2. Mengimplementasikan materi batasan operasi ada rangkaian di proteus

2. ALAT DAN BAHAN[kembali]

2.1 Alat

Grounding

Grounding menjadi penghantar arus listrik yang akan langsung menuju ke tanah atau bumi.

2.2 Bahan

1. NPN

Sebelum membahas lebih dalam, sebaiknya Anda paham terlebih dahulu pengertian dari transistor. Transistor adalah sebuah komponen di dalam elektronika yang diciptakan dari bahan-bahan semikonduktor dan memiliki tiga buah kaki. Masing-masing kaki disebu sebagai basis, kolektor, dan emitor.

• Emitor (E) memiliki fungsi untuk menghasilkan elektron atau muatan negatif.
• Kolektor (C) berperan sebagai saluran bagi muatan negatif untuk keluar dari dalam transistor.
• Basis (B) berguna untuk mengatur arah gerak muatan negatif yang keluar dari transistor melalui kolektor.

Fungsi dari transistor sendiri adalah memperkuat arus listrik yang masuk ke dalam rangkaian. Fungsi ini berkebalikan dengan resistor yang berperan meredam arus listrik.

2. RESISTOR

Spesifikasi Resistor

• Resistor Film Karbon
• Resistor 4-jalur
• Nilai resistor bervariasi berdasarkan parameter yang dipilih
• Peringkat daya bervariasi berdasarkan parameter yang dipilih

3. MOTOR DC

3. DASAR TEORI[kembali]

3.1 Ringkasan teori

limits of operation(batas operasi)

Untuk setiap transistor ada wilayah operasi pada karakteristik yang akan memastikan bahwa peringkat maksimum tidak terlampaui dan sinyal output menunjukkan distorsi minimum. Wilayah seperti itu telah didefinisikan untuk karakteristik transistor Dari Gbr. 3.22. Semua batas operasi ditentukan pada lembar spesifikasi transistor umum yang dijelaskan dalam Bagian 3.9.

Beberapa batasan operasi adalah penjelasan diri, seperti arus kolektor maksimum (biasanya disebut pada lembar spesifikasi sebagai arus kolektor berkelanjutan) dan tegangan kolektor-ke-emitor maksimum (sering disingkat_{sebagai CEO} V atau V_{(BR) CEO} pada lembar spesifikasi). Untuk transistor Gbr. 3.22, I_Cmax ditetapkan sebagai 50 mA dan_{V CEO} sebagai 20 V. Garis vertikal pada karakteristik yang didefinisikan sebagai V_CEsat menentukan V_CE minimum yang dapat diterapkan tanpa jatuh ke dalam wilayah nonlinear berlabel bidang saturasi. Tingkat V_CEsat biasanya berada di lingkungan 0,3 V yang ditentukan untuk transistor ini.

Gambar 3.22 Mendefinisikan wilayah operasi linear (tidak diubah) untuk transistor.

Tingkat disipasi maksimum ditentukan oleh persamaan berikut:

Untuk perangkat Gbr. 3.22, disipasi daya kolektor ditentukan sebagai 300 mW. Pertanyaan kemudian muncul tentang bagaimana merencanakan kurva disipasi daya kolektor yang ditentukan oleh fakta bahwa

Pada titik mana pun pada karakteristik produk V_{CE dan} I_{C harus} sama dengan 300 mW. Jika kita memilih I_C untuk menjadi nilai maksimum 50 mA dan menggantikan hubungan di atas, kita memperoleh

Akibatnya kami menemukan bahwa jika I_C = 50 mA, maka V_CE = 6 V pada kurva disipasi daya seperti yang ditunjukkan dalam Gbr. 3.22. Jika kita sekarang memilih V_CE untuk menjadi nilai maksimumnya 20 V, tingkat I_C adalah sebagai berikut

mendefinisikan titik kedua pada kurva daya. Jika kita sekarang memilih tingkat I_C di midrange seperti 25 mA, dan memecahkan untuk tingkat V CE yang_dihasilkan,kita mendapatkan

sebagaimana juga ditunjukkan pada Gbr. 3.22. Perkiraan kasar kurva aktual biasanya dapat ditarik menggunakan tiga poin yang ditentukan di atas. Tentu saja, semakin banyak poin yang Anda miliki, semakin akurat kurva, tetapi perkiraan kasar biasanya semua yang diperlukan.

Wilayah cutoff didefinisikan sebagai wilayah di bawah IC = ICEO. Wilayah ini juga harus dihindari jika sinyal output memiliki distorsi minimum. Pada beberapa lembar spesifikasi hanya  ICBO yang disediakan. Seseorang kemudian harus menggunakan persamaan ICEO = ICBO untuk menetapkan beberapa gagasan tentang tingkat cutoff jika kurva karakteristik tidak tersedia. Pengoperasian di wilayah yang dihasilkan dari Gbr. 3.22 akan memastikan distorsi minimum sinyal output dan tingkat arus dan tegangan yang tidak akan merusak perangkat.

Jika kurva karakteristik tidak tersedia atau tidak muncul pada lembar spesifikasi (seperti yang sering terjadi), seseorang harus yakin bahwa saya_C,VCE, dan produk mereka V_CEI_{C jatuh} ke dalam kisaran yang muncul di Eq. (3,17).

Untuk karakteristik common-base kurva daya maksimum didefinisikan oleh produk berikut dari jumlah output:

3.2 Contoh soal

 1.      Urutan yang benar dari terkecil untuk karakteristik common base kurva dari I_C, I_CEO, I_Cmax adalah :

I_CEO  I_C  I_Cmax

2.      maximum collector-to-emitter voltage dilambangkan dengan :

V_CEO

1.     

3.3 Problem

1. Pada umumnya Tingkat V_CEsat bernilai :

0.3 V

2. Wilayah operasi linear adalah

wilayah yang tidak diubah pada transistor

3.4 Soal pilihan ganda

1. Wilayah cutoff merupakan wilayah yang didefinisikan sebagai :

a. I_C = I_CEO

b. V_C = I_CEO

c. I_c = V_C

d. V_C = M_CEO

_{JAWABAN : A}

_2. Garis vertikal pada karakteristik yang didefinisikan sebagai

a. I_CEO

b.V_C

c.V_CEsa

d. M_CEO

_{JAWABAN : C}

4.  PERCOBAAN[kembali]

4.1 Prosedur percobaan

1. Sambungkan 3 resistor dengan npn masing-masing 1k

2. Emitor disambungkan dengan ampermeter dan motor dc lalu ground

3. Resistor di basis diberi voltmeter dan catudaya

4. resisitor 3 dibesri catudaya

4.2 Rangkaian simulasi

4.3 Video [kembali]

4.4 Link download[kembali]